型号/品牌/封装
品类/描述
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价格(含税)
资料
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品类: MOS管描述: STMICROELECTRONICS STN1NF10 晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 100 V, 700 mohm, 10 V, 3 V30525+￥3.159025+￥2.925050+￥2.7612100+￥2.6910500+￥2.64422500+￥2.58575000+￥2.562310000+￥2.5272 -
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品类: MOS管描述: P沟道 VDS=−30V VGS=±20V ID=−3A P=1.65W46905+￥2.511025+￥2.325050+￥2.1948100+￥2.1390500+￥2.10182500+￥2.05535000+￥2.036710000+￥2.0088 -
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品类: MOS管描述: Nexperia Si P沟道 MOSFET BSP250,115, 3 A, Vds=30 V, 4引脚 SOT-223 (SC-73)封装94485+￥1.942725+￥1.798850+￥1.6980100+￥1.6549500+￥1.62612500+￥1.59015000+￥1.575710000+￥1.5541 -
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品类: MOS管描述: N-沟道 300 V 6 Ohm 1.5 W 表面贴装 增强型 D-MOS 晶体管 SOT-22326595+￥2.069625+￥1.916350+￥1.8089100+￥1.7630500+￥1.73232500+￥1.69405000+￥1.678610000+￥1.6556 -
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品类: MOS管描述: N 通道 MOSFET，100V 及更高，Nexperia ### MOSFET 晶体管，NXP Semiconductors53505+￥2.354425+￥2.180050+￥2.0579100+￥2.0056500+￥1.97072500+￥1.92715000+￥1.909710000+￥1.8835 -
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品类: MOS管描述: P沟道 100V 1A80555+￥4.708825+￥4.360050+￥4.1158100+￥4.0112500+￥3.94142500+￥3.85425000+￥3.819410000+￥3.7670 -
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品类: MOS管描述: 自我保护FET的温度和电流限制 Self-Protected FET with Temperature and Current Limit820910+￥10.4244100+￥9.9032500+￥9.55571000+￥9.53832000+￥9.46885000+￥9.38207500+￥9.312510000+￥9.2777 -
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品类: MOS管描述: 功率MOSFET 300毫安， 60伏 Power MOSFET 300 mA, 60 Volts27255+￥1.537725+￥1.423850+￥1.3440100+￥1.3099500+￥1.28712500+￥1.25865000+￥1.247210000+￥1.2301 -
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品类: MOS管描述: 0.3A,60V,SOT-223-3,N沟道功率MOSFET81805+￥3.850225+￥3.565050+￥3.3654100+￥3.2798500+￥3.22282500+￥3.15155000+￥3.122910000+￥3.0802 -
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品类: MOS管描述: QFET® P 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。13485+￥2.556925+￥2.367550+￥2.2349100+￥2.1781500+￥2.14022500+￥2.09295000+￥2.073910000+￥2.0455 -
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 200V 0.77A 4Pin(3+Tab) SOT-223 T/R885810+￥1.128650+￥1.0701100+￥1.0283300+￥1.0032500+￥0.97811000+￥0.95302500+￥0.91545000+￥0.9071 -
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品类: MOS管描述: 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.13 A, 200 V, 0.8 ohm, 5 V, 100 V23745+￥3.238725+￥2.998850+￥2.8308100+￥2.7589500+￥2.71092500+￥2.65095000+￥2.626910000+￥2.5909 -
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品类: MOS管描述: HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，Infineon HEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。80595+￥1.871125+￥1.732550+￥1.6355100+￥1.5939500+￥1.56622500+￥1.53155000+￥1.517710000+￥1.4969 -
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品类: MOS管描述: INFINEON IRFL014NTRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.9 A, 55 V, 0.16 ohm, 10 V, 4 V56805+￥1.525525+￥1.412550+￥1.3334100+￥1.2995500+￥1.27692500+￥1.24875000+￥1.237410000+￥1.2204 -
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品类: MOS管描述: HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，Infineon HEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。24735+￥3.376425+￥3.126350+￥2.9512100+￥2.8762500+￥2.82612500+￥2.76365000+￥2.738610000+￥2.7011 -
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品类: MOS管描述: STMICROELECTRONICS STN4NF20L 晶体管, MOSFET, N沟道, 1 A, 200 V, 1.1 ohm, 10 V, 2 V 新311010+￥0.787150+￥0.7462100+￥0.7171300+￥0.6996500+￥0.68211000+￥0.66462500+￥0.63845000+￥0.6326 -
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品类: MOS管描述: ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDT459N, 6.5 A, Vds=30 V, 3针+焊片 SOT-223封装98545+￥5.720025+￥5.296350+￥4.9997100+￥4.8726500+￥4.78782500+￥4.68195000+￥4.639510000+￥4.5760 -
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品类: MOS管描述: ON Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDT3N40TF, 2 A, Vds=400 V, 3针+焊片 SOT-223封装60005+￥3.456025+￥3.200050+￥3.0208100+￥2.9440500+￥2.89282500+￥2.82885000+￥2.803210000+￥2.7648 -
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 400V 0.17A Automotive 4Pin(3+Tab) SOT-223 T/R636910+￥9.4680100+￥8.9946500+￥8.67901000+￥8.66322000+￥8.60015000+￥8.52127500+￥8.458110000+￥8.4265 -
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品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQT7N10LTF 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 100 V, 275 mohm, 10 V, 2 V10965+￥2.608225+￥2.415050+￥2.2798100+￥2.2218500+￥2.18322500+￥2.13495000+￥2.115510000+￥2.0866 -
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品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQT4N20LTF 晶体管, MOSFET, N沟道, 850 mA, 200 V, 1.1 ohm, 10 V, 2 V814910+￥10.4220100+￥9.9009500+￥9.55351000+￥9.53612000+￥9.46675000+￥9.37987500+￥9.310310000+￥9.2756
